日期:2022-12-07
佳能将于2023年1月上旬发售面向后道工艺的半导体光刻机新产品——i线※1步进式光刻机“FPA-5520iV LF2 Option”。该产品通过0.8μm(微米※2)的高解像力和拼接曝光技术,使100×100mm的超大视场曝光成为可能,进一步推动3D封装技术的发展。
FPA-5520iV LF2 Option
通过半导体芯片层叠而
实现高性能的3D技术(示意图)
将四个曝光shot拼接,
形成一个大型封装(4shot×4个)
为了提高半导体芯片的性能,不仅在半导体制造的前道工艺中实现电路的微细化十分重要,在后道工艺的高密度封装也备受关注,而实现高密度的先进封装则对精细布线提出了更高要求。同时,近年来半导体光刻机得到广泛应用,这一背景下,半导体器件性能的提升,需要通过将多个半导体芯片紧密相连的2.5D技术※3及半导体芯片层叠的3D※4技术来实现。
新产品是通过0.8μm的高解像力和曝光失真较小的4个shot拼接曝光,使100×100mm的超大视场曝光成为可能,从而实现2.5D和3D技术相结合的超大型高密度布线封装的量产。
与以往机型“FPA-5520iV LF Option”(2021年4月发售)相比,本次发售的新产品能够将像差抑制至四分之一以下。新产品搭载全新的投射光学系统、采用照度均一性更佳的照明光学系统,以及0.8μm的解像力和拼接曝光技术,能够在前一代产品52x68mm大视场的基础上,实现向100×100mm超大视场的提升。
新产品同时也继承了半导体光刻机“FPA-5520iV”的多项基本性能。例如可以灵活应对再构成基板※5翘曲等在封装工艺中对量产造成阻碍的问题,以及在芯片排列偏差较大的再构成基板上测出Alignment mark,从而提高生产效率。
在面向半导体芯片制造的前道工艺和后道工艺中,佳能在不断扩充搭载先进封装技术的半导体光刻机产品阵营,持续为半导体设备的技术创新做出贡献。
〈新产品特征〉
1.通过新投射光学系统和照明光学系统的提升,实现0.8μm的高解像力和拼接曝光超大视场
变像像差的改善(示意图)
前道工艺的标准视场26×33mm
52×68mm曝光(新产品)
50x50mm 4shot拼接曝光(新产品)
曝光视场示例
2.继承FPA-5520iV的基本性能.
〈什么是半导体制造的后道工艺〉
在半导体芯片的制造工艺中,半导体光刻机负责“曝光”电路图案。在曝光的一系列工艺中,在硅晶圆上制造出半导体芯片的工艺称为前道工艺。另一方面,保护精密的半导体芯片不受外部环境的影响,并在安装时实现与外部的电气连接的封装工艺称为后道工艺。
〈关于半导体光刻机解说的网站〉
我们发布了“佳能光刻机网站”,通过图片和视频等易于理解的方式说明“光刻机”的原理和性能。此外,我们还面向青少年专门开设了一个页面,帮助他们理解曝光的原理。
〈半导体光刻机的市场动向〉
近年来,随着物联网的飞速发展,以及受新冠疫情影响使远程办公和在线活动持续增加,市场对各种半导体器件的需求也在提升。在这种情况下,除芯片精细化以外,封装的高密度布线也被认为是实现高性能的技术之一。可以预见,随着对更高性能半导体器件的先进封装需求的增加,后道工艺中的半导体光刻机市场将继续扩大。(佳能调研)
先进封装技术--2.5D技术与3D技术示意图
〈关于产品规格〉
有关产品规格的详细信息,请参考佳能主页。
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